下游消費(fèi)電子疲軟的市場(chǎng)行情持續(xù)沖擊上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),晶圓代工亦不可避免地受到?jīng)_擊。與此同時(shí),AI、HBM等應(yīng)用風(fēng)生水起,為業(yè)界帶來(lái)新機(jī)會(huì)。
這一背景下,半導(dǎo)體領(lǐng)域晶圓代工先進(jìn)制程重要性愈發(fā)凸顯,臺(tái)積電、三星兩大晶圓代工龍頭最新產(chǎn)能規(guī)劃與未來(lái)先進(jìn)制程規(guī)劃逐漸清晰。
01 6月28日,三星電子在2023年第7屆三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum, SFF)上宣布其最新的代工技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。
人工智能時(shí)代,三星晶圓代工計(jì)劃基于GAA的先進(jìn)制程技術(shù),為客戶在人工智能應(yīng)用方面的需求提供強(qiáng)大支持。為此,三星公布了2nm工藝量產(chǎn)的詳細(xì)計(jì)劃以及性能水平,計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)應(yīng)用在移動(dòng)領(lǐng)域2nm工藝的量產(chǎn),于2026和2027分別擴(kuò)展到HPC及汽車電子。
三星表示,2nm工藝(SF2)較3nm工藝(SF3)性能提高了12%,功效提高25%,面積減少5%。
三星還將擴(kuò)大全球晶圓代工產(chǎn)能,該公司計(jì)劃到2027年,產(chǎn)能較2021年擴(kuò)大7.3倍。
全球產(chǎn)能提升方面,三星計(jì)劃于韓國(guó)量產(chǎn)應(yīng)用于移動(dòng)領(lǐng)域的晶圓代工產(chǎn)品,并更多集中在平澤P3工廠。位于美國(guó)泰勒的新晶圓廠,也正按計(jì)劃推進(jìn),預(yù)計(jì)于今年底前竣工,2024年下半年內(nèi)投產(chǎn)。同時(shí),三星計(jì)劃在2030年后將韓國(guó)的生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)展到龍仁,助力三星的下一代晶圓代工服務(wù)。
除此之外,三星亦表示,為應(yīng)對(duì)移動(dòng)和HPC應(yīng)用小芯片市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),三星本月與其SAFETM合作伙伴以及多家存儲(chǔ)、封裝基板和測(cè)試廠商合作,成立“MDI(Multi-Die Integration, 多芯片集成)聯(lián)盟”。未來(lái),三星還將與SAFETM合作伙伴一同持續(xù)努力,擴(kuò)大晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)。
02 今年以來(lái),臺(tái)積電先后在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市、中國(guó)臺(tái)灣等地介紹了其最新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝路線圖,涵蓋3nm和2nm制程節(jié)點(diǎn)的各種工藝。 臺(tái)積電目前規(guī)劃的3nm"家族"分別是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE,其中N3是基礎(chǔ)版;N3E是改進(jìn)版,成本進(jìn)一步優(yōu)化;N3P性能將進(jìn)一步提升,計(jì)劃2024年下半年投產(chǎn);N3X聚焦高性能計(jì)算設(shè)備,計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段;N3 AE專為汽車領(lǐng)域設(shè)計(jì),具備有更強(qiáng)的可靠性,將有助客戶縮短產(chǎn)品上市時(shí)間2~3年。
2nm方面,臺(tái)積電預(yù)計(jì)N2工藝將會(huì)在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電介紹,在相同功率下,N2速度相比N3E提高15%,或者降低30%的功耗,密度為原來(lái)的1.15倍。
產(chǎn)能方面,臺(tái)積電5月透露,為滿足客戶需求,臺(tái)積電迅速穩(wěn)定提升7nm、5nm及3nm先進(jìn)制程產(chǎn)能,估計(jì)2019年至2023年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)40%。其中,臺(tái)積電在2017年~2019年每年平均興建2座新廠,2020年建6座新廠、2021年建7座、2022年建3座,2023年將再建2座新廠。